はんだ付け接合技術のプロフェッショナル　株式会社　弘輝

SiCやGaNなど、新たな半導体素子を利用したパワーデバイスの研究開発が急速に進んでいる。

パワーデバイスの接合面は一般的なSMT分野で行われているはんだ接合より接合面積が大きく、ボイドが残りやすい。

本報では、弘輝が開発したギ酸還元リフロー用ソルダーぺーストE12シリーズを使用して、パワーデバイスで使用される代表的な表面処理とボイド傾向について、ダイボンディング接合部とヒートシンク接合部を模擬して評価を行った結果について報告する。