狭ギャップパターン信頼性試験での課題

フラックス残渣の絶縁信頼性の確認では、くし型基板を使用しており、JIS、IPCでは、0.318mm間隔のくし型基板にて評価を行っている。しかし近年、より厳しいフラックス残渣信頼性を求めるお客様が増えており、より狭ギャップのくし型基板にて評価する機会が増加してきた。

■課題
・イオン化した金属が移動しやすくなる為、マイグレーションの発生確率が格段に高くなる。
・狭ギャップパターンでは、残渣が電極間に溜まりやすい

■解決策
S3X58-HF900Nは、高湿度下でも吸湿しにくい樹脂を使用。
また、金属イオンの生成を抑えた形にて設計。
狭ピッチの電極でも高い絶縁信頼性を確保しました。

新技術で高い信頼性を実現

アノードでの反応とカソードでの反応を繰り返す事で、樹脂状にマイグレーションが成長する。
マイグレーションが発生した場所は、さらに狭ギャップとなる為、より電流が流れやすくなり絶縁抵抗値が低下、
マイグレーションの成長も早くなる。

S3X58-HF900Nは、活性剤量を抑えることで金属イオンの生成を少なくし、マイグレーション発生を防止。

残渣信頼性（狭ギャップ信頼性基板0.125mm）

S3X58-HF900Nは、抵抗値の高い状態を維持しており、1000時間印加後もマイグレーションの発生が無いことを確認しました。

フラックス残渣の金属塩を低減

フラックス内へ取り込まれる金属塩が少なく、絶縁抵抗への影響を抑えます。